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受激喇曼散射形成的过程和条件

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【作者】 张光荣;

【机构】 合肥工业大学应用物理系;

【摘要】 <正> 本文按量子理论阐述了受激喇曼散射形成的过 程。认为当一束单色光照射到散射介质上时,产生受激喇曼散射的几率和自发喇曼散射的几率都存在,且两几率之比恰好等于散射光子的简并度。在介质中能否形成高亮度相干的受激喇曼散射决定于

  • 【文献出处】 量子电子学 ,Chinese Journal of Quantum Electronics , 编辑部邮箱 ,1986年03期
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