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考虑电畴结构以后对Heywang-Jonker模型的修正

A Modified Heywang Jonker Model

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【作者】 陈志雄； 付波； 谭华溢；

【Author】 Chen Zhixiong Fu Bo

【机构】 华中工学院固体电子学系； 华中工学院固体电子学系；

【摘要】 本文从体内载流子对自发极化屏蔽的机制出发,分析了过去在解释PTCR效应的理论中所忽略了的90°电畴结构,以及电畴结构随温度变化时对铁电补偿程度的影响,用稍微修正了的Heywang-Jonker模型,对施主掺杂钛酸钡半导体陶瓷中的PTCR效应作出进一步的解释。

【Abstract】 The importance of 90° domain structure in the explanation of the R-T characteristics of PTCR materials is discussed and the effect of change of domain structure with temperature on ferroelectric compensation is estimated. A slightly modified Hey-wang-Jonker model is proposed to explain further the PTCR effect in donor-doped BaTiO3 semicnducting ceramics.

【关键词】 半导体陶瓷； 畴壁能； 退极化场； 铁电畴壁； 钛酸； 自发极化； Heywang-Jonker； 铁电半导体； 表面态； 铁电相变；
【基金】 中国科学院科学基金资助的课题
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