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Si3N4/Si半导体电极的研究
【摘要】 <正> 在离子敏感场效应晶体管栅极表面生长一层Si3 N6膜,由于该膜的化学性能稳定,介电常数大,所以已广泛用来制作氢离子敏感器件。Lauks等人将Si3 N6直接沉积在硅片上,与溶液接触形成电解质-绝缘体-半导体模式的电容,并且测定了不同pH的导纳。本文将这种模式的半导体元件作为电极来研究,测试了
- 【文献出处】 化学通报 ,Chemistry , 编辑部邮箱 ,1986年07期
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【摘要】 <正> 在离子敏感场效应晶体管栅极表面生长一层Si3 N6膜,由于该膜的化学性能稳定,介电常数大,所以已广泛用来制作氢离子敏感器件。Lauks等人将Si3 N6直接沉积在硅片上,与溶液接触形成电解质-绝缘体-半导体模式的电容,并且测定了不同pH的导纳。本文将这种模式的半导体元件作为电极来研究,测试了