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一种新型的PVC涂丝氢离子场效应敏感器件

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【作者】 南轸； 陆宗寰； 吴瑶； 宋贯交； 黄德培； 施有纯； 张莉倩； 陆筱旖；

【机构】 南京中医学院； 常熟半导体厂； 南京大学配位化学所；

【摘要】 <正> P.Bergvld在1970年发现将Mos场效应管的绝缘层栅siO2或Si3N4与溶液相接触,能对H+产生Nernst响应。随后到1975年S.D.Moos利用PVC膜离子选择敏感材料涂层于上述场效应管绝缘层栅上,制备成功了各种类型的离子选择性场效应管敏感器件（总称ISFET）。近年来国外许多学者研制PVC膜pH电极获得较宽线性范围和较好的选择性。

【关键词】 场效应管； PVC； 敏感器件； 材料涂层； 离子选择性； 氢离子； 线性范围； 溶液法； Nernst； 平均斜率；
  • 【文献出处】 化学传感器 ,Chemical Sensors , 编辑部邮箱 ,1986年01期
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