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31P+注入N-Hg1-xCdxTe

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【作者】 陈泉森； 张月琴； 林和；

【机构】 中国科学院上海技术物理研究所； 中国科学院上海技术物理研究所；

【摘要】 <正> 离子注入Hg1-xCdxTe是制备光伏红外探测器的关键工艺。国外已采用该工艺制备出高性能的HgCdTe多元列阵和焦平面器件。但其掺杂机制及退火机制尚不清楚,一般认为所有的元素离子注入P-HgCdTe均形成辐照损伤导致的N+电学层,3181P+注入N-HgCdTe则形成P型层,是掺杂行为。本文着重报道我所近几年来用31P+注入N-

【关键词】 焦平面器件； 红外探测器； 辐照损伤； 离子注入； N-Hg； x)Cd_xTe； 光伏探测器； 光伏器件； 均匀性； 二次离子质谱法；
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