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Hg1-xCdxTe材料的EB1V研究

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【作者】 方晓明； 陈伯良； 俞锦陛；

【机构】 中国科学院上海技术物理研究所； 中国科学院上海技术物理研究所；

【摘要】 <正> 扫描电镜的电子束感生电压技术（SEM-EBIV）是研究半导体材料的有效手段,可以直观地显示材料中存在的势垒区。对N-Hg0.7Cd0.3Te材料作适当的表面处理后,我们用蒸发的方法在材料表面淀积一层金属Pt,以形成M-S整流接触;把In直接焊到金属膜上作为电极。在国产DX-3A型扫描电镜上,采用EBIV技术在温度100K对这种结构进行了研究。直接观察到在金属膜周围

【关键词】 金属膜； EB1V； Hg； x)Cd_xTe； 表面处理； 淀积； 扫描电镜； 势垒； 霍尔系数； 响应范围；
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