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用DLTS法研究碲镉汞的深能级
【摘要】 <正> 用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了高镉组份碲镉汞混晶(Hg1-xCdxTe,0.55≤x≤0.84)的深能级。实验所用碲镉汞晶体用固态再结晶法制备,晶片未经定向,实验用器件在单晶粒上制作以避免晶粒间界的影响。材料未经有意掺杂,生长出来的晶体为P型,为获得N型晶片,可
- 【文献出处】 红外研究(A辑) , 编辑部邮箱 ,1986年05期
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【摘要】 <正> 用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了高镉组份碲镉汞混晶(Hg1-xCdxTe,0.55≤x≤0.84)的深能级。实验所用碲镉汞晶体用固态再结晶法制备,晶片未经定向,实验用器件在单晶粒上制作以避免晶粒间界的影响。材料未经有意掺杂,生长出来的晶体为P型,为获得N型晶片,可