【摘要】 <正> 半导体探测器具有良好的能量分辨率,在能谱分析中已引起人们广泛的兴趣。Si材料原子序数(Z=14)较小,探测能量大于30keV的射线时,其效率迅速下降,因此人们选用Ge(Li)探测器。但它在制造和使用中存在两个主要的问题,一是必需用Li离子补偿Ge材料,二是Li在Ge中固有的不稳定性,使器件严禁升高到室温,即使是偶然的一次,也会导致器件的补偿度毁坏。这两个缺点,在用高纯Ge材料制备的探测器(HPGe探测器)中是不存在的,更多还原

【Abstract】 After storing the HPGe detector at room temperature for 1056 hours and circulating 15 times from room temperature to liquid nitrogen temperature, the performances of the detector is still excellent. FWHM of 169.1 eV and 408 eV is obtained for 55Fe (5.9keV) and 241Am(59.5keV), respectively.更多还原