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10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究

Study of the radiation effects on MOS samples and Si diodes and triodes using: 10-12 MeV electron

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【作者】 赖启基； 吴凤美； 蒋永兴； 陆用义； 朱以璋； 王元林； 冯文荃；

【Author】 Lai Qiji Wu Fengmei Jiang Yongxing Lu YongyiZhu Yizhang Wang Yuanlin Feng Wenquan(Nanjing University)

【机构】 南京大学； 南京大学；

【摘要】 本文介绍10—12MeV高能电子对MOS样品及已封装硅二、三极管辐射效应的实验研究结果。分析了高能电子辐射效应的特点及其实用意义。

【Abstract】 In this paper, the experimental results of the radiation effects on MOS samples and sealed Si diodes and triodes using 10-12MeV electrons are presented. The features and practical values of radiation effects by high energy electron have been analyzed.

【关键词】 高能电子； 电子注量； 缺陷能级； 复合中心； 少子寿命； 界面态； 界面固定正电荷；
【Key words】 high energy electron electron doses defect energy levels recombination centre the lifetime of minority carriers interface states interface fixed positive charges；
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