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GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

Preliminary research on doping of GaAs by neutron transmutation

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【作者】 徐稼迟张德宏徐小琳王家英孟祥提

【Author】 Xu Jiachi Zhang Dehong(Nanjing Institute of Solid State Devices Research)Xu Xiaolin Wang Jiaying Meng Xiangti(INFT of Qinghua University)

【机构】 南京固体器件研究所清华大学核能技术研究所清华大学核能技术研究所

【摘要】 <正> 硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5%之内;掺杂精度高,能够准确地达到所要求的浓度。近年来,Ⅲ-V族化合物半导体的中子嬗变掺杂亦有报道。1971年Miriashvili等人首先报道了GaAs的中子嬗变掺杂。在这之后,一些作者进一步研究了热中子辐照GaAs的原理、特点和它的应用。1982年在美国马里兰举行的第四届国际NTD会议上也报道了这方面的内容。

【Abstract】 The principle, technology and characteristic of the neutron transmutation doping of GaAs are presented in this paper. The preliminary experimental result is given.

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