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GaAs中子嬗变掺杂的初步研究
Preliminary research on doping of GaAs by neutron transmutation
【摘要】 <正> 硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5%之内;掺杂精度高,能够准确地达到所要求的浓度。近年来,Ⅲ-V族化合物半导体的中子嬗变掺杂亦有报道。1971年Miriashvili等人首先报道了GaAs的中子嬗变掺杂。在这之后,一些作者进一步研究了热中子辐照GaAs的原理、特点和它的应用。1982年在美国马里兰举行的第四届国际NTD会议上也报道了这方面的内容。
【Abstract】 The principle, technology and characteristic of the neutron transmutation doping of GaAs are presented in this paper. The preliminary experimental result is given.
- 【文献出处】 核技术 ,Nuclear Techniques , 编辑部邮箱 ,1986年03期
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