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用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤

A study on the surface damage of R-IBE crystals by RBS-channeling technique

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【作者】 曹德新任琮欣杨洁周祖尧周伟邹世昌

【Author】 Cao Dexin (Shanghai Institute of Nuclear Research, Academia Sinica)Ren Congxin Yang Jie Zhou Zuyao Zhou Wei Zou Shichang (Shanghai Institute of Metallurgy, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海原子核研究所中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所

【摘要】 <正> 在大规模集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,要求电路的线条不断变细,等离子、离子束及反应离子刻蚀等加工工艺将起着重要的作用。它们为大规模集成电路生产提供了强有力的微细加工手段。离子束刻蚀类似于机械研磨,离子束能量和样品的位置可变,具有各向异性。在加工过程中,样品表面存在一定量的损伤,从貌相看还存在起伏不平的“小丘”。等离子和反应离子刻蚀克服了各项异性,但离子能量和刻蚀的方向不可调节,所以也有局限性。

【Abstract】 This paper reported the study on the surface damage, and its annealing of R-IBE (reaction ion beam etched) crystal by RBS-channeling technique. The topography of the etched surface was observed by SEM.The experimental results show that the reactive ion beam etching with CF4 results in a surface damage layer and the amount of the damage increases with increasing the energy of the ion beam.

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