【摘要】 <正> 在大规模集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,要求电路的线条不断变细,等离子、离子束及反应离子刻蚀等加工工艺将起着重要的作用。它们为大规模集成电路生产提供了强有力的微细加工手段。离子束刻蚀类似于机械研磨,离子束能量和样品的位置可变,具有各向异性。在加工过程中,样品表面存在一定量的损伤,从貌相看还存在起伏不平的“小丘”。等离子和反应离子刻蚀克服了各项异性,但离子能量和刻蚀的方向不可调节,所以也有局限性。更多还原

【Abstract】 This paper reported the study on the surface damage, and its annealing of R-IBE (reaction ion beam etched) crystal by RBS-channeling technique. The topography of the etched surface was observed by SEM.The experimental results show that the reactive ion beam etching with CF4 results in a surface damage layer and the amount of the damage increases with increasing the energy of the ion beam.更多还原