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CMOS LSI电路失效分析的XTEM技术

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【机构】 AT＆T Bell Laboratories N.J.； USA；中国科学院半导体研究所；中国科学院北京电子显微镜实验室；北京钢铁学院金属物理系；半导体研究所；

【摘要】 <正> 集成电路工艺的迅速发展在一个芯片上已可以制作10~5以上的元件,即LSI和VLSI大规模和超大规模。集成度的提高使元件的最小尺度降到一微米以下,而栅氧化层仅数十个nm。对这种电路的分析,常用的SEM就无能为力,必须求助于TEM的更高的分辨率。而XTEM技术是研究这种具有多层复杂结构的强有力的工具。本文作更多还原

【关键词】集成电路工艺；失效分析； XTEM技术； CMOS LSI；栅氧化层；

【文献出处】电子显微学报 ,Journal of Chinese Electron Microscopy Society , 编辑部邮箱 ,1986年03期

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