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在PCVD过程中衬度温度对Si沉积膜的影响

The Influence of Substrate Temperature on the Si Deposition Films during the Process of PCVD

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【作者】 王志超； 吴刚； 孙美祥； 陈润华；

【Author】 Wang Zhi-chao, Wu Gang, Sun Mei-xiang, Chen Run-hua(Nanjing University).

【机构】 南京大学物理系； 南京大学物理系；

【摘要】 本文研究了PCVD过程中,不同衬底温度对Si沉积膜中凝聚颗粒大小、结晶状态以及生长速率的影响。并对其实验结果进行了相应的讨论。

【Abstract】 The influence of different substrate temperatures on the size of condensed particles, condi tion of crystallization and growth rate in the Si deposition films during the PCVD processes is studied and the experimental results are discussed correspondingly.

【关键词】 PCVD； 沉积膜； Si； 衬底温度； 结晶状态； 衬度； 物理吸附； 氧化层厚度； 生长速率； 晶粒大小；
  • 【文献出处】 电子学报 ,Acta Electronica Sinica , 编辑部邮箱 ,1986年05期
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