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硅上硅化钛相变和生长动力学研究

INVESTIGATION OF PHASE CHANGE AND GROWTH KINETICS OF TITANIUM SILICIDE ON SILICON

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【Author】 Hu Renyuan, Wang Zhonglie, Liu Yili and Xie Baozhen

【机构】北京师范大学低能核物理研究所；北京师范大学低能核物理研究所；中国科学院高能物理研究所；

【摘要】用RBS及X线衍射研究了硅上钛薄膜退火时形成硅化物的相变和生长动力学。650℃退火形成TiSi₂相,TiSi₂层生长服从Kidon抛物线层生长规律。更多还原

【Abstract】 Phase change and growth kinetics of silicide of Ti thin film on silicon are investigated by means of RBS and X-ray diffraction. TiSi₂ was formed during 650℃ thermal annealing. The growth of TiSi₂ layer follows the Kidson parabolic layer growtb law.更多还原

【关键词】生长动力学；硅化物；抛物线规律；衍射谱；退火时间；原子数；反应生成物；酸水溶液；表面氧化；难熔金属；

【文献出处】北京师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Beijing Normal University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1986年01期

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