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硅上硅化钛相变和生长动力学研究

INVESTIGATION OF PHASE CHANGE AND GROWTH KINETICS OF TITANIUM SILICIDE ON SILICON

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【作者】 胡仁元王忠烈刘伊犁谢葆珍

【Author】 Hu Renyuan, Wang Zhonglie, Liu Yili and Xie Baozhen

【机构】 北京师范大学低能核物理研究所北京师范大学低能核物理研究所中国科学院高能物理研究所

【摘要】 用RBS及X线衍射研究了硅上钛薄膜退火时形成硅化物的相变和生长动力学。650℃退火形成TiSi2相,TiSi2层生长服从Kidon抛物线层生长规律。

【Abstract】 Phase change and growth kinetics of silicide of Ti thin film on silicon are investigated by means of RBS and X-ray diffraction. TiSi2 was formed during 650℃ thermal annealing. The growth of TiSi2 layer follows the Kidson parabolic layer growtb law.

  • 【文献出处】 北京师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Beijing Normal University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1986年01期
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