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掺杂（硼和磷）a-Si1-xCx:H膜中氢含量的测量

Measurements of H Content in GD a-Si1-xCx:H Doped with B or P

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【作者】 陈光华； 张仿清； 徐希翔； 清水立生；

【Author】 Chen Guanghua/Department of Physics, Lanzhou UniversityZhangFangqing/Department of Physics, Lanzhou UniversityXu Xixiang/Department of Physics, Lanzhou UniversityT. Shimizu/Department of Electronics, Kanazawa University

【机构】 兰州大学物理系； 日本金沢大学工学部；

【摘要】 本工作用IR法研究了a·Si1-xCx:H（x～0.2）膜中掺杂（B和P）对H键合特性的影响,并对样品含H量作了定量分析.

【Abstract】 The influence of doping with boron or phosphorus on hydrogen bonding property inGD a-Si1-xCx:H （x=0.2） alloy films is studied by IR spectra.The contents of hydro-gen in the films are analysed quantitatively.

【关键词】 本工； 非晶硅太阳电池； 氢含量； a-Si； x)C_x:H膜； 转换效率； 非晶态半导体； 吸收峰值； 界面反射； 窗口材料；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1986年05期
  • 【被引频次】2
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