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氢气区熔硅单晶中的新红外吸收谱峰

A New Infrared Absorption Band in FZ Silicon Grown in Hydrogen

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【作者】 轩振国； 张美蓉； 游志朴；

【Author】 Xuan Zhenguo/Emie Institute of Semiconductor MaterialsZhang Meirong/Emie Institute of Semiconductor MaterialsYou Zhipu/Department of Physics, Sichuan University

【机构】 峨嵋半导体材料研究所； 四川大学物理系；

【摘要】 在氢气区熔硅单晶中观测到一个2688cm-1的新Si-H红外吸收峰.该谱峰不能由文献[2]、[4]提的模型来解释.

【Abstract】 A 2688 cm-1 infrared absorption band is observed in FZ silicon grown in hydrogen.This new band can not be explained by the models described in references [4] and [2].

【关键词】 硅单晶； 区熔； 谱峰； 红外吸收； 单晶硅材料； 高纯硅； 被测样品； 半导体材料； 吸收峰； 噪声信号；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1986年04期
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