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中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰

A Set of New Radiation-Induced IR Absorption Bands in the Neutron-Irradiated FZ-Si Crystal

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【作者】 祁明维施天生白国仁谢雷鸣蔡培新高集金李石岭

【Author】 Qi Mingwei/Shanghai Institute of Metallurgy, Academia SinicaShi Tiansheng/Shanghai Institute of Metallurgy, Academia SinicaBai Guoren/Shanghai Institute of Metallurgy, Academia SinicaXie Leiming/Shanghai Institute of Metallurgy, Academia SinicaCai Peixin/Shanghai Institute of Metallurgy, Academia SinicaGao Jijin/Institute of Atomic Energy, Academia SinicaLi Shiling/Institute of Atomic Energy, Academia Sinica

【机构】 中国科学院上海冶金研究所中国科学院原子能研究所中国科学院原子能研究所

【摘要】 N型中子辐照区熔硅单晶中,在与双空位(V2-)有关的2770cm-1吸收峰的低频侧发现一组文献中从未报道过的新的吸收峰.对这组吸收峰的性质及其退火行为进行了研究.

【Abstract】 In the neutron-irradiated N-type FZ crystal,a set of new radiation-induced IR absorption bands not reported in the literature so far are observed at the low-frequ-ency side of the band 2770cm-1 related to the divacancy.The properties and the an-nealing behavior of this set of IR bands are investigated and presented.

【基金】 中国科学院科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1986年03期
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