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中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷

A New Triclinic Defect in Neutron-Irradiated FZ-Silicon Grown in Hydrogen

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【作者】 吴恩吴书祥毛晋昌秦国刚

【Author】 Wu En/Department of Physics, Peking UniversityWu Shuxiang/Department of Physics, Peking UniversityMao Jinchang/Department of Physics, Peking UniversityQin Guogang/Department of Physics, Peking University

【机构】 北京大学物理系北京大学物理系

【摘要】 用电子顺磁共振在中子辐照氢气氛下生长的区熔硅中观察到一个新的三斜对称缺陷,确定了该缺陷的g张量主值和各主轴在晶轴坐标系中的方向余弦.据此对旋转花样图进行了理论计算,与实验结果符合很好.

【Abstract】 A new triclinic defect,labled Si-PK1,was observed first with EPR in neutron-irra-diated FZ-silicon grown in hydrogen,the paramagnetic parameters of this defect weredetermined.The pattern computer calculated with these parameters was found to bein close agreement with the experimentaldata.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1986年01期
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