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温度对CMOS锁定效应的影响及观测

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【作者】 张开华； 沈方； 藤勇；

【机构】 成都电讯工程学院； 成都电讯工程学院；

【摘要】 <正>CMOS集成电路在迅速发展过程中也出现了一些问题,其中最严重的问题首先是锁定效应.它是CMOS电路的主要失效模式之一,也是提高CMOS集成度的一大障碍.CMOS的优越特性之一是对工作环境要求不高,就工作温度而言,可宽达-55～+125℃,但由下面的分析和实测结果可知,温度的变化将引起锁定灵敏度显著变化,在应用和分析设计中应给予注意.

【关键词】 工作环境要求； 锁定效应； 失效模式； 重掺杂； 直线关系； 乘积项； 维持电流； 基区； 基极电流； 扩散常数；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1986年05期
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