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用固相外延技术在硅单晶衬底上形成NiSi2单晶薄膜的研究

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【作者】 李一之； 关中凡； 黄贤芳； 梁胜辉； 柯行生； 陈文艳； 曾绍洪；

【机构】 华南工学院物理系； 华南工学院物理系；

【摘要】 利用固态相变原理,采用常规设备和真空保护气氛两步热处理方法,在硅单晶衬底上形成大面积连续、均匀的二硅化镍单晶薄膜.应用电子通道分析技术和电子衍射技术,研究二硅化镍单晶薄膜晶格完整性,指出上述形成NiSi2的方法相对通常仅用真空或保护气氛热处理的方法而言,兼具高效率和高晶格完整性的优点.

【关键词】 硅单晶； NiSi2； 硅化镍； 保护气氛热处理； 固相外延； 电子衍射技术； 固态相变； 电子通道花样； 淀积； 晶格结构；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1986年04期
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