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低温度系数(TCR)的离子注入电阻

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【作者】 张国权； 岳德全； 罗桂隆； 董志江；

【机构】 复旦大学电子工程系； 复旦大学电子工程系；

【摘要】 本文叙述了一种能实用于半导体集成电路的低温退火离子注入电阻.它具有高精度低温漂的特点,与常规的离子注入电阻和扩散电阻相比,其温度系数要小一个数量级以上,并且能与MOS和双极型集成电路工艺相容.

【关键词】 低温度系数； TCR； 双极型集成电路； 离子注入； 半导体集成电路； 低温退火； 温漂； 高温退火； 子注； 载流子迁移率；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1986年02期
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