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NiSi2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法

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【作者】 黄贤芳； 关中凡； 李一之； 陈文艳； 曾绍洪； 柯行生；

【机构】 华南工学院物理系； 华南工学院物理系；

【摘要】 由于自身的特点,通常制备供TEM分析用超薄样品的方法,不适合于NISi2外延单晶薄膜.为此,提出了一种新的适合于NiSi2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法.这一方法也适用于制备硅薄膜的TEM分析样品.

【关键词】 分析样品； NiSi2； TEM分析； 外延层； 备供； 硅化镍； 固相外延； 衍射谱； 固相反应； 保护气氛热处理；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1986年02期
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