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SiCl4氢还原低压硅外延生长的碳沾污

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【作者】 杨树人； 刘明登； 许新民； 傅则忠； 李玉珍；

【机构】 吉林大学电子科学系； 北京有色金属研究院；

【摘要】 <正>关于硅材料制备过程中碳沾污的问题,近年来引起了人们极大的关注.我们在研究Sicl4氢还原低压硅外延生长时发现,外延层的碳沾污要比常压外延生长严重.不解决这个问题,将影响低压硅外延生长技术的正常使用和推广.为此,我们对SiCl4氢还原低压硅外延生长过程中碳沾污的问题进行了研究.

【关键词】 外延生长； SiCl4； 氢还原； 外延层； 材料制备； 外延技术； 外延片； 表面片； 扫描电子显微镜； 外延工艺；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1986年01期
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