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Φ50毫米〈1O0〉不掺杂高纯半绝缘砷化镓单晶

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【作者】 刘锡田； 王永鸿； 俞斌才； 邓志杰； 马碧春； 马三胜； 孙天亮； 王惠林； 李其胜； 武希康； 杨蕴华；

【机构】 北京有色金属研究总院； 北京有色金属研究总院；

【摘要】 <正> 我们采用高压液封原位合成直拉法(简称 HPDSLEC 法),在热解氮化硼坩埚或石英坩埚里生长不掺杂〈100〉砷化镓单晶。单晶直径φ30～50毫米,重量750克,成晶率80%。我们对不同熔体组分(指熔体中砷原子分数)生长的单晶用火花源质谱法,局域振动模远红外光吸收法,热激电流谱法,

【关键词】 热激电流谱； 直拉法； 远红外光； 原位合成； 火花源质谱法； 氮化硼； 振动模； 砷化镓； 原子分数； 电子迁移率；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1985年03期
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