【摘要】 <正> 本世纪四十年代末期,人们就对微波放电进行了大量研究以适应当时大功率微波开关管的发展。六十年代中期,当高频(一般为13.56兆赫)放电技术在半导体工艺领域进行应用研究的同时,J.R.Ligenza等人就开展了用微波放电沉积薄膜的研究。七十年代初,日本日立公司、电电公社和日本真空株式会社开始对强磁场条件下微波形成等离子体技术进行了开发研究,并在1981年后陆续研制并生产了适用于刻蚀、沉积和离子注入的商品化装置。目前它们已经用于生产。本文将简略介绍强磁场条件下微波放电形成等离子体的物理特征及其在微电子学工艺中更多还原