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光电导性不同的两类α-Si:H膜

TWO KINDS OF α-Si:H FILMS WITH DIFFERENT PHOTOCONDUCTIVITY

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【作者】 海宇涵； 周忠毅；

【Author】 Hai Yu-han Zhou Zhong-yi (Institute of Electronics,Academia Sinica,China)

【机构】 中国科学院电子学研究所； 中国科学院电子学研究所；

【摘要】 <正> 两类a-Si:H膜的测量表明:高温样品的光电导较大;低温样品的光暗比较大,г值接近1,瞬态响应速度较快。光电导性的差异决定了它们的应用场合的不同。高温样品适合作太阳电池材料,而低温样品适合作光电检测器件材料。不顾应用场合而片面强调光暗比的重要性是不妥当的。以光暗比的大小来评论a-Si:H膜的质量,这是很值得研究的。我们认为对于一些重要的应用场合,光暗比甚至不是重要参量;因为存在着光电导性不同的两类薄膜,它们适于

【关键词】 光电导性； Si:H膜； 电池材料； 光电检测； 器件材料； 瞬态响应； 重要参量； 光生载流子； 迁移率边； 辉光放电；
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