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高阻材料霍尔效应测试法探讨

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【作者】 苏千武； 蔡希介； 苏祖兴； 宋志庆；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 高阻半导体材料的霍尔测试,不论是测试技术,还是数据分析处理都比低、中阻材料困难得多。对此,本文介绍和讨论了有关实现高阻半导体材料常规霍尔元件的具体方法。

【关键词】 高阻； 霍尔效应； 半导体材料； 霍尔元件； 数据分析处理； 测试技术； 空间电荷区； 测试数据； 测试方法； 半导体表面；
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