微处理机在C—V测试中的应用

【摘要】 <正> 一、引言对结构简单的MOS电容进行C—V特性测试是MOS电路中检查SiO₂等界面质量及钝化效果的重要手段之一,这种检测方法早已被研究、生产部门所采用。在以往的测量中,需将特定条件下画出的C—V曲线与理想曲线比较,再从有关图表中查出数据进行计算来分析Si-SiO₂系统中存在的缺陷和沾污的类型及含量.这一过程既复杂又繁锁,而且由于连续查表,容易带入人为误差和积累误差,对测量的准确性有一定影响。测量一点尚且如此麻烦,更多还原