12MeV电子辐照缺陷能级的研究

【摘要】 近年来,利用1—12MeV加速电子辐照,在硅材料中可以成功地引入复合中心,并代替扩金等工艺.它有效、精确地控制了器件寿命参数.全面衡量器件各参数,可以看出,12 MeV电子辐照比低能量电子辐照或Co-r,辐照更有利于半导体器件参数的全面最佳化.在1—12MeV电子辐照中,12MeV电子有较强的穿透力和引入缺陷的能力.在相同的复合效果条件下,12MeV电子辐照又比r辐照剂量小得多. 本文研究在3×1012—6×1013e/cm2剂量范围内,12MeV电子辐照在硅中产生的缺陷能级及其退火特性,讨论了缺陷能级随辐照剂量的变化和对少子寿命的影响. 一、样品与实验 实验所用样品是电阻率为50—80　·c更多还原