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Ga在Ni(111)表面上形成的超结构

SUPERSTRUCTURES FORMED BY Ga ATOMS ON Ni (111) SURFACE

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【作者】 屠礼勋孙玉珍

【Author】 TU LI-XUN SUN YU-ZHEN (Institute of Metal Research, Academia Sinica, Shenyang)

【机构】 中国科学院金属研究所中国科学院金属研究所

【摘要】 使用自制的简易蒸发源,将金属Ga蒸镀在Ni(111)表面上。在亚单层时,用低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)观测到Ga在Ni(111)面上形成(3(1/2)×3(1/2))R30°和(2×2)两种超结构。并建立起近似平衡图,粗略地确定了这两种超结构存在的覆盖度和温度范围。

【Abstract】 The structures of Ga atoms deposited on Ni(lll) surface was studied. When the coverage is less than one monolayer, two superstructures. (31/2×31/2 ) R30°and (2×2), have been observed, by means of LEED and AES.A quasi-equilibrium phase diagram has been drafted, and thus the rangs of coverage and temperature while these superstructures appear can be estimated.

【关键词】 超结构GaNi低能电子衍射蒸镀热蒸发衬底温度LEED俄歇电子淀积
【基金】 中国科学院科学基金
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,1985年07期
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