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金刚石单晶的晶种法生长

The Seeded Growth of Single Crystals of Diamond

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【作者】 刘光照; 冯楚德; 薛志麟;

【Author】 Liu Guangzhao;Feng Chude;Xie Zhilin(Shanghai Institute of Ceramics,Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院上海硅酸盐研究所;

【摘要】 <正> 用晶种法生长金刚石,生长的驱动力实际上来自反应腔内的温度梯度,这就要求(1)反应腔内的温度和压力能保持长时间稳定;(2)生长区和原料区之间的温度差必须适当;(3)控制好籽晶的初始生长;(4)采用适当的控温工艺。由于我们基本上掌握了上述技术问题,自82年以来已用这种方法生长出数十颗优质金刚石大单晶,其中最大一颗的边长为3.1mm(对角线长为4.3mm),重约31.2mg。

  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1985年Z1期
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