【摘要】 <正> 在绝缘层上生长硅材料的 SOI（Silicon on Insulator）技术对于制作高密度的 MOS 电路与新型的三维集成电路有重要的应用前景,近几年已引起了国际上许多国家的密切注意。这种 SOI 新材料可以利用激光束、电子束以及石墨条加热器等对绝缘层上多晶硅进行区域熔化再结晶获得。本文报告了利用调 Q 的 Nd∶YAG 激光与连续 Ar⁺激光,对 SiO₂绝缘层上以低压化学汽相淀积（LPCVD）得到的多晶硅薄膜进行激光再结晶的研究结果。透射电镜（TEM）更多还原