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TiO2薄膜的MOCVD生长

The MOCVD Growth of TiO2 Thin Films

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【作者】 罗文秀安新跃宫瑞敏张佩显

【Author】 fuo wenxiu;An Xinyue;Gong Ruimin;Zhang peixian(Department of Chemistry,Shandong University)

【机构】 山东大学化学系山东大学化学系

【摘要】 <正> 本文报道了 TiO2薄膜的金属有机化合物汽相淀积(简称 MOCVD)技术。用这一技术生长的氧化物薄膜国外已有报道,其中 TiO2真结晶膜已用于太阳能电池的抗反射镀层,水的光电解和光催化等各个方面,已成为能源研究中的新型材料之一。用 MOCVD 技术生长的薄膜优于通常所采用的 CVD 法和其他的物理沉积方法,易获得优质的结晶薄膜,目前已成为薄膜制备科学中的最新技术。本工艺采用液态(C4HgO)4Ti 为生长的物质源,用电阻丝加热,反应室为垂直放置的石英管,用高纯氮(N2)作载气,液态(C4HgO)4Ti 为恒温,并用氮气携

  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1985年Z1期
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