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掺杂TGS晶体的生长和改性研究

Study of the Modification of TGS Crystal

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【作者】 房昌水王民张克从吕孟凯宋建成

【Author】 Fang Changshui;Wang Min;Zhang Kecong;Lu Mengkai;Song Jiancheng(Institute of Crystal Materials,Shandong University)

【机构】 山东大学晶体材料研究所山东大学晶体材料研究所

【摘要】 <正> 为了克服 TGS 晶体作为热释电材料应用时的某些固有缺点和提高某些性能参数,我们对该晶体的改性进行了比较系统的研究和探讨。根据 TGS〔(NH2CH2COOH)3·H2SO4〕的组成成份和内部结构,该晶体的掺杂形式主要有取代、夹杂和氘化等方式。因此我们培育和研究了用阴离子集团 SeO42-、BeF42-、SiF62-、PO43-、AsO43-等部分取代 SO42-的位置,和用 L—、DL-α丙氨酸部分取代甘氨酸所形成的 TGS 混晶;用金属阳离子 Mg2+,Cd2+等与甘氨酸分子形成螯合物结构和在晶体中引入大偶极矩有机分子苯胺,苯磺酸和硝基苯氨等的夹杂型 TGS 晶

  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1985年Z1期
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