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用反应气氛法坩锅下降技术生长低吸收高透过的KCL晶体

The Growth of Low-Absorption,High Transmission KCl Crystals by Active Atmosphere Bridgman Technique

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【作者】 刘成武； 高健民； 王福林； 李庆华； 徐恒玉； 万立德； 肖涤凡；

【Author】 Liu Chengwu;Gao Jianmin;Wang Fuijn;Li Quinghua(Institute of Technical Physics,Heilongjiang Academy of Sciences)Xu Yuheng;Wan Lide;Xiao Difan(Harbin Institute of Technology)

【机构】 黑龙江省科学院技术物理研究所； 哈尔滨工业大学； 哈尔滨工业大学；

【摘要】 <正> KCl 晶体是做 Co2激光窗口的良好材料,在0.4—21μm 透明波段中具有高的透过率和低的吸收系数。本文采用反应气氛法（RAP 法）坩埚下降技术生长高纯的 KCl 晶体,用 CCl4做 RAP剂,采用提纯的氩做载气,石英坩埚直径为φ50mm.用分析纯的 KCl 试剂做原料。投料一公斤,能生长出长150mm 以上的单晶棒。原料经250℃干燥后放入坩埚内,原料熔化后进行 RAP 处理50小时以上,生长速度为1.5～2.5mm/hr,经过 RAP 处理的熔液生长的单晶体,不粘着石英坩埚,因此坩埚可重复

【关键词】 反应气氛； KCL； 分析纯； 透过率； 吸收系数； 热解反应； 生长速度； 功率密度；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1985年Z1期
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