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掺铊氯化钾晶体的生长

The Crowth of KCI:Tl Crystals

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【Author】 Fang Shugan;Li Shenhua;Lou Yongqin;Gu Zhengtai(Crystsl Laporatory,Applied Physics Departnent,Shangahi Jiaotong University)

【机构】上海交通大学应用物理系晶体研究室；上海交通大学应用物理系晶体研究室；

【摘要】 <正> 在各种晶体材料的研制中,重金属掺杂的碱卤晶体一向受到重视。本文采用了温度梯度降温法,生长出 T1∶KCl 单晶体。生长晶体炉使用二氧化硅瓷管,外绕以不均匀的电阻丝,正温度梯度区间长于15cm。在真空的热管中放置一石墨坩埚,内径为30mm,长约为100mm。原料配比为:KCl 分析纯61.4613(克),T1C1分析纯0.8601(克)搅拌后放入热管中的坩埚,抽真空后置更多还原

【关键词】晶体材料；正温度梯度；分析纯；石墨坩埚；电阻丝；生长晶体；降温法；抽真空；组分过冷；解理面；

【文献出处】人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1985年Z1期

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