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坩埚下降法生长锗酸铋(BGO)大单晶

Growth of Large Size BGO Single Crystals by Bridgman Method

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【作者】 何崇藩范世骥廖晶莹沈关顺沈定中

【Author】 He Chongfan;Fan Shiji;Liao Jingying;Shen Guanshun;Shen Dingzong(Shanghai Institute of Ceramics,Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海硅酸盐研究所

【摘要】 <正> 本文报道了坩埚下降法生长 Bi4Ge3O12的研究结果。采用高纯 GeO2(6N)和 Bi2O3(5N)为初始原料,按化学计量精确配料,然后将此混合物加热使之反应合成晶备用。已发现 BGO 熔体会腐蚀铂坩埚。目前我们已大量生产3×3-2×2-24cmBGO 单晶,最大尺寸达3.5×7.0×26cm。在国内外对晶体进行了系统的性能测试,包括闪烁、光学、热学和机械学性能(表1和2)。从测得数据和在 CERNΥ束流上实际应用试验均证明,晶体质量优良,满足了 CERN 的

  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1985年Z1期
  • 【被引频次】9
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