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激光再结晶CMOS/SOI器件
【摘要】 <正> SOI(Silicon on Insulator)材料是发展高速CMOS-LSI(Complementary matal-oxide-semiconductor-large scale integrated circuits)和三维集成电路的理想材料。最近几年,利用激光、电子束和移动石墨舟加热等方法来实现绝缘层上多晶硅熔化再结晶,这些方法有可能获得一种优质、廉价且容易和现在的VLSI工艺技术相容的新的SOI材料。本文,报道了用连续Ar~+
【关键词】 激光再结晶；
CMOS/SOI器件；
三维集成电路；
Insulator；
结晶硅；
沟道长度；
Complementary；
环形振荡器；
表面迁移率；
场效应晶体管；
- 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1985年16期
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