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多晶硅的点阵吸收带

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【作者】 李月珍； 沈金媛； 王云珍；

【机构】 中科院上海冶金所； 中科院上海冶金所； 华东师范大学；

【摘要】 多晶硅在300K和78K,7.5～20μm范围内的红外吸收峰的形状,频率和吸收峰对应的声子能量与单晶硅完全符合,也与文献报导的单晶硅的结果相符合,是多声子吸收引起的,因而晶界对红外吸收不敏感,因此多晶中氧、碳杂质的测定,仍可沿用单晶硅中氧含量测定的换算系数。

【关键词】 多声子吸收； 单晶硅材料； 声子能量； 氧含量测定； 文献报导； 红外吸收； 吸收带； 吸收峰； 红外透射光谱； 电矩；
  • 【文献出处】 激光与红外 ,Laser & Infrared , 编辑部邮箱 ,1985年03期
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