硅的气相淀积的滞流层效应

【摘要】 在整个硅烷分解化学淀积硅膜的试验温度范围内,都显示出滞流层效应。对数生长速率与温度倒数的曲线分为三段直线。高温区的速率控制机制是硅烷分解后的硅原子;而不是硅烷通过滞流层的扩散机制控制了生长速率。中低温区的速率控制机制是硅烷分解,而不是表面反应过程控制生长速率。速率控制机制的不同,生长速率与滞流层高度的依赖关系就不同:在中低温区生长速率与滞流层高度成正比;在高温区生长速率与滞流层高度的平方成反比。更多还原