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硅单晶抛光材料的发展

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【作者】 施为德

【机构】 天津化学试剂一厂

【摘要】 <正> 硅单晶拉制成棒状后,经过外园磨园、内园切片、研磨和化学减薄、抛光等工艺获得适于大规模集成电路或器件要求的无损伤的高质量平滑表面。硅片的表面质量,包括表面的平整度、平行度、机械损伤、沾污等,对电路、器件整套工艺的成品率有严重影响。抛光是硅片加工工艺中的最后一道工序,它对最后得到的硅片的质量有重要作用。

  • 【文献出处】 化工新型材料 ,New Chemical Materials , 编辑部邮箱 ,1985年06期
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