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钨—硅共溅薄膜中形成硅化钨的喇曼光谱

Raman speotroscopy of the silicide WSi2 formed by co-sputtered WSix

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【作者】 孙迭箎； 郁曾期； 李富铭； 杜元成；

【Author】 SUN DIECHI YU ZENGQI AND LI FUMING (Department of Physics, Fudan University Shanghai)DU YUANCHENG (Department of Electronic Engineering, Fudan University, Shanghai)(Received 18 September 1984)

【机构】 复旦大学物理系； 复旦大学电子工程系；

【摘要】 用喇曼光谱的方法研究了钨-硅共溅薄膜中形成的硅化钨的特性,得到了二硅化钨的喇曼位移峰:333cm-1和456cm-1。实验表明喇曼光谱学方法可以实现对钨-硅薄膜中硅化钨的快速形成过程进行实时监测。

【Abstract】 Raman speotmm of the silicide "WSi2, which occurs at 333cm-1 and 456 cm-1, has been demonstrated. Formation of silicide from co-sputtered WSix was studied by Eaman speotroscopy.

【关键词】 硅化钨； 喇曼光谱； 薄膜结构； 硅薄膜； 辐照样品； 高温处理； 难熔金属硅化物； 处理条件； 衍射谱； 场效应管；
  • 【文献出处】 光学学报 ,Acta Optica Sinica , 编辑部邮箱 ,1985年04期
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