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离子注入GaAs MESFET中深能级

Deep Levels in Ion Implantation GaAs-MESFET

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【作者】 邵振亚马式满谭晶子

【Author】 Shao Zhenya, Ma Shiman,Tan Jingzi (Nanjing Solid State Devices Research Institute)

【机构】 南京固体器件研究所南京固体器件研究所

【摘要】 本文介绍由DLTS法检测离子注入GaAs MESFET结构中深能级陷阱的结果,并且从实验上观测了这些陷阱能级与器件某些特性的直接联系.

【Abstract】 This paper describes deep levels in ion implantation GaAs-MESFET, these has been detected by DLTS method, direct relationship between some levels and certain characteristic of devices has been odserved from experiments.

  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1985年03期
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