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离子注入GaAs MESFET中深能级

Deep Levels in Ion Implantation GaAs-MESFET

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【Author】 Shao Zhenya, Ma Shiman,Tan Jingzi (Nanjing Solid State Devices Research Institute)

【摘要】本文介绍由DLTS法检测离子注入GaAs MESFET结构中深能级陷阱的结果,并且从实验上观测了这些陷阱能级与器件某些特性的直接联系.更多还原

【Abstract】 This paper describes deep levels in ion implantation GaAs-MESFET, these has been detected by DLTS method, direct relationship between some levels and certain characteristic of devices has been odserved from experiments.更多还原

【关键词】 MESFET；深能级；器件性能；离子注入；样管；检测离子；夹断电压；有源层；电子迁移率；栅压；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1985年03期

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