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单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器

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【作者】 王福臣； 茅经怀； 俞土法；

【机构】 南京固体器件研究所； 南京固体器件研究所；

【摘要】 <正>为了满足我国电视卫星低噪声接收的需要,使单片低噪声FET放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器的研究,最近取得了较大的进展.研制的单级单片低噪声FET放大器,芯片尺寸为1×1.2mm,在10.5～12.4GHz带宽内测试,噪声系数为3～3.5dB,相关增益为6.0dB.

【关键词】 MESFET； GHz； 芯片尺寸； 电视卫星； 有源层； 世界先进水平； 寄生电容； 器件研究； 汽相外延生长； 所正；
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1985年01期
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