【摘要】 <正> 1.引言 众所周知,晶体管的电流增益与收集极电流有关,开始它随收集极电流增大而增大,达到一最大值后,它又随收集极电流的进一步增大而逐渐减小。所谓大电流时电流增益下降,就是指收集极电流大于电流增益达最大值所对应的收集极电流后电流增益下降的现象。 关于大电流时电流增益下降的物理原因,过去有两种解释:一是由Webster提出的基区电导调制效应;另一是由Kirk提出的有效基区展宽效应。后来许多作者在分析室温下大电流时电流增益随收集极电流的变化曲线(β-I_c曲线)和特征频率随收集极电流的变化曲线(f_T-I_c曲线)的基础上,实验证明了有效基区展宽效应是导致大电流下电流增益下降的主要原因。更多还原

【Abstract】 Starting from the temperature characteritics of the transistor current gain, the tem-perature-dependent law of the collector current just as the current gain begins to fall-off is studied theoretically and experimentally. It is verified that the physical reason is the base widening effect.更多还原