【摘要】 <正> （一）引言 除金（Au）以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯（Pd）、钆（Gd）、铑（Rh）等在si/SiO₂界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧（La）也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 （二）实验 MOS样品是在电阻率为8—12Ωcm的<111>P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO₂胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300μm。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表面生成厚度约为1200的SiO₂薄膜。去除Si片背面的SiO₂后,在干氮下,从背面扩入La,进而在不同条件（温度、时间、气氛等）下,对更多还原

【Abstract】 The negative electric effects of La metai at the Si/SiO2 interface and the heat treat-ment behaviour of these effects are studied experimentally. In addition, the results of electron spectroscopy analysis of the La-doped interface are also presented.更多还原