砷化镓数字集成电路现状及趋向

【摘要】 <正> 虽然目前硅集成技术已开始朝着甚高速集成电路的方向前进,但它毕竟要受到其自身电学性能的限制.与硅相比,砷化镓材料具有较高的低场迁移率,在相当小的电场下即出现速度饱和;易于获得半绝缘特性的衬底,而且受激载流子的寿命短.因此,砷化镓器件中的串联电阻低;平均载流子速度高;工作电压低;更多还原