节点文献

低温强磁场下Si MOS反型层输运特性的研究

TRANSPORT PROPERTIES OF Si MOS INVERSION LAYERS IN HIGH MAGNETIC FIELDS AT LOW TEMPERATURE

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 郑厚植； 程文超； 朱詠堂； 王杏华； 李月霞； 毕可奎； 李承芳； 江丕桓；

【Author】 Zheng Houzhi;Cheng Wenchao;Zhu Yong tang;Wang Xinghua;Li Yuexia;Bi Kekui;Li Chengfang;Jiang Pihuan Institute of Semiconductors Academia Sinica

【机构】 中国科学院半导休研究所； 中国科学院半导休研究所 北京； 北京； 北京；

【摘要】 制备了4.2K下电子迁移率达1～2×10~4cm~2/v·sec的MOS反型层,在强磁场下观察到二维电子系统的一系列典型物理现象:SdH振荡及量子霍尔效应.

【Abstract】 Si MOS inversion layers with electron mobilities 1-2×10~4cm~2/v·sec (4.2 K) havebeen prepared. In high magnetic fields inversion layer electrons exhibit interestingproperties of two-dimensional electron gas. SdH oscillations and quantum Hall effecthave been observed.

【关键词】 反型层； Si MOS； 输运特性； 电子迁移率； 量子霍尔效应； 界面陷阱电荷； 电子系统； 硅栅； 物理现象； 输运现象；
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】45
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)