节点文献

硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源

Behavior and Main Origin of Heat-Induced Microdefects at the Surface of Si Wafer

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 张一心； 程美乔；

【Author】 Zhang Yixin/Institute of Semiconductors, Academia SinicaCheng Meiqiao/Institute of Semiconductors, Academia Sinica

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 本文分析了表面热诱导微缺陷与体缺陷的相互作用,确定了表面热诱导微缺陷的主要来源,提出了消除的方法及其在检测漩涡缺陷方面的应用.

【Abstract】 The interaction between heat-induced microdefects at the surface and bulk defects isanalysed,and the main origin of heat-induced microdefects at the surface is determined.A method to eliminate these defects together witch its application in defecting swirl de-fects is also presented.

【关键词】 微缺陷； 热诱导； 漩涡缺陷； 金属杂质； 本征吸除； 硅单晶； 单晶片； 单面抛光； 旋涡缺陷； 缺陷密度；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1985年03期
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】42
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)