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气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量

Determination of Hydrogen Content in a-Si Film by Gas Chromatographic Method

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【作者】 吕惠云； 武锦华； 尹恩华； 刘昌灵； 孔光临；

【Author】 Lu Huiyun/Institute of Semiconductors, Academia SinicaWu Jinhua/Institute of Semiconductors, Academia SinicaYin Enhua/Institute of Semiconductors, Academia SinicaLiu Changling/Institute of Semiconductors, Academia SinicaKong Guanglin/Institute of Semiconductors, Academia Sinica

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 本文介绍用气相色谱法测定非晶硅薄膜中氢的总含量及不同温度下氢的释放率,这种方法比过去在氢的热释放实验中采用的气压测定法更可靠.

【Abstract】 The total hydrogen content in an a-Si film and the hydrogen effusion rate from itat different temperatures can be determined by gas chromatographic technology whichis more reliable than the pressure measurement adopted in the hydrogen effusion expe-riment.

【关键词】 非晶硅薄膜； 气相色谱测定； 氢含量； 释放率； 释放实验； 气相色谱法； 气压变化； 淀积； 高纯氖； 释放曲线；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1985年03期
  • 【被引频次】1
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